لینک پاورپوینت ترانزیستورهای power Mosfet

فرمت فایل : پاورپوینت   تعداد اسلاید : 16 اسلاید 1 ترانزیستورهای power Mosfet:از عصرpmos بیش از15 سال نمی گذرد. امروزه P.mos ها در محدوده ی قدرت وسیعی از چند ده وات تا چند صد کیلو وات تولید می شود.امروزه طراحان با ترکیب دو تکنولوژی bipolarو mosfet دسته جدیدی از عناصر الکترونیک به نام MOS-bipoler را به وجود آورده اند که به آن خواهیم پرداخت.کاربردهای p.mos:منابع تغذیه بدون وقفه (ups) ،کنترل سرعت موتورهای AC,DC ،کنترل موتورهای پله ای و رله ها در رباتیک، وسایل پزشکی ،کوره های القایی و... 2 1- ساختمان فیزیکی p.mosساختمان فیزیکی p.mos دارای یک فرق اساسی با mosfet معمولی است.در mosfet معمولی گیت،سورس و کانال همگی تقریباً در یک سطح قرار گرفته اند و ترانزیستور یک ساختار سطحی (planar) دارد.اما در p.mos اجزا fet بصورت عمودی قرار گرفته اند و جریان به طور عمودی از کل حجم سیلیکن می‌گذرد.همچنین مزایایی نظیر استفاده موثر از سیلیکن بکار رفته،به حداقل رساندن سطح تراشه ،امپدانس حرارتی کم و سطح ولتاژ شکست زیاد را در بر دارد. 3 2- مقایسه خصوصیات p.mosfet با p.bipolar1-طریقه کنترل 2- سرعت کلید ...

پاورپوینت ترانزیستورهای power Mosfet,دانلود ترانزیستورهای power Mosfet,تحقیق ترانزیستورهای power Mosfet,مقاله ترانزیستورهای power Mosfet,دانلود پاورپوینت تران برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید

لینک پاورپوینت نحوه عملکرد ترانزیستورهای ماسفت MOSFET

پاورپوینت نحوه عملکرد ترانزیستورهای ماسفت MOSFET   103اسلایدهمراه باتصویر فصل چهارم از:   & کتاب MICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e Sedra /Smith در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT l MOSFET از BJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.     Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند. بین این دو ناحیه و در سطح پا ...

پاورپوینت ترانزیستور MOSFET,پاورپوینت ترانزیستور ماسفت, برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید