لینک دانلود پاورپوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید

  دسته بندی : پاورپوینت   نوع فایل:  ppt _ pptx ( قابلیت ویرایش  )    قسمتی از اسلاید پاورپوینت :    تعداد اسلاید : 29 صفحه ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco Ipc جریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ = IPE IE مولفه های جریانی ترانزیستور در ناحیه فعال: مقداری از جریان حفره ای که بوسیله الکترون های بیس جذب می شودIx مقداری از جریان حفره ای که از بیس عبور می کندIPC =ضریب گذردهی بیس IPC IPE جریان الکترونی بیس که برای ترکیب با حفره های ، به می آیند Inco C C BC جریان حامل های اقلیت دیود خاموش Ipco ...

دانلود ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید,تحقیق ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید,مقاله ساختار ترانزیستورهای برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید

لینک پاورپوینت ترانزیستورهای power Mosfet

فرمت فایل : پاورپوینت   تعداد اسلاید : 16 اسلاید 1 ترانزیستورهای power Mosfet:از عصرpmos بیش از15 سال نمی گذرد. امروزه P.mos ها در محدوده ی قدرت وسیعی از چند ده وات تا چند صد کیلو وات تولید می شود.امروزه طراحان با ترکیب دو تکنولوژی bipolarو mosfet دسته جدیدی از عناصر الکترونیک به نام MOS-bipoler را به وجود آورده اند که به آن خواهیم پرداخت.کاربردهای p.mos:منابع تغذیه بدون وقفه (ups) ،کنترل سرعت موتورهای AC,DC ،کنترل موتورهای پله ای و رله ها در رباتیک، وسایل پزشکی ،کوره های القایی و... 2 1- ساختمان فیزیکی p.mosساختمان فیزیکی p.mos دارای یک فرق اساسی با mosfet معمولی است.در mosfet معمولی گیت،سورس و کانال همگی تقریباً در یک سطح قرار گرفته اند و ترانزیستور یک ساختار سطحی (planar) دارد.اما در p.mos اجزا fet بصورت عمودی قرار گرفته اند و جریان به طور عمودی از کل حجم سیلیکن می‌گذرد.همچنین مزایایی نظیر استفاده موثر از سیلیکن بکار رفته،به حداقل رساندن سطح تراشه ،امپدانس حرارتی کم و سطح ولتاژ شکست زیاد را در بر دارد. 3 2- مقایسه خصوصیات p.mosfet با p.bipolar1-طریقه کنترل 2- سرعت کلید ...

پاورپوینت ترانزیستورهای power Mosfet,دانلود ترانزیستورهای power Mosfet,تحقیق ترانزیستورهای power Mosfet,مقاله ترانزیستورهای power Mosfet,دانلود پاورپوینت تران برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید

لینک پاورپوینت نحوه عملکرد ترانزیستورهای ماسفت MOSFET

پاورپوینت نحوه عملکرد ترانزیستورهای ماسفت MOSFET   103اسلایدهمراه باتصویر فصل چهارم از:   & کتاب MICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e Sedra /Smith در فصل قبل دیود که المانی دو ترمینالی بود را بررسی کردیم. در این فصل و فصل بعدی المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود را بررسی خواهیم کرد. ترانزیستور در مدارات زیادی از جمله تقویت کننده ها، مدارات دیجیتال و حافظه ها کاربرد دارد. اصول کلی کارکرد ترانزیستور بر این پایه است که با اعمال ولتاژ به دو ترمینال جریان ترمینال سوم را کنترل میکنند. دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT l MOSFET از BJT کوچکتر بوده و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف میکند. در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.     Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor این ترانزیستور بر روی یک پایه از نوع p ساخته میشود. بر روی پایه دو ناحیه با نیمه هادی نوع n که دارای ناخالصی زیادی هستند ایجاد میشود. این نواحی سورس و درین نامیده میشوند که با یک اتصال فلزی دردسترس قرار میگیرند. بین این دو ناحیه و در سطح پا ...

پاورپوینت ترانزیستور MOSFET,پاورپوینت ترانزیستور ماسفت, برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید

لینک پاورپوینت ترانزیستورهای معمولی BJT

   پاورپوینت ترانزیستورهای معمولی BJT   49اسلاید   فصل پنجم از:   & کتاب MICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e Sedra /Smith مقدمه l دراین فصل المان سه ترمینالی دیگری با نام ترانزیستور پیوند دو قطبی (Bipolar Junction Transistor) و یا BJT را بررسی میکنیم. l BJT در سال 1948 اختراع شده و با معرفی دستگاه هائی که با ترانزیستور نیمه هادی کار میکردند انقلابی در دنیا پدید آورد. ترانزیستور BJT برای سالهای متمادی انتخاب اول برای انواع دستگاههای دیجیتال و آنالوگ بود اما در دهه اخیر بسرعت با MOSFET جایگزین گشته است. l BJT امروزه در مدارات آنالوگ و بخصوص فرکانس بالا کاربرد زیادی دارد.   ساختار ترانزیستور BJT l یک ترانزیستور BJT از نوع npn از سه قطعه نیمه هادی متصل به هم تشکیل میشود:  l یک نیمه هادی n با نام امیتر l یک نیمه هادی p با نام بیس l یک نیمه هادی n با نام کلکتور     ...

پاورپوینت BJT,پاورپوینت ترانزیستورهای BJTپاورپوینت ترانزیستورهای معمولی BJT برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید

لینک پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

  پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)   20اسلایدهمراه باتصویر کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان ، دسته‌ای از ترانزیستور ها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود ...

پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان,پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET),پاورپوینت FET برای پشتیبانی و خرید فایل به سایت فروشنده مراجعه بفرمائید